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200N04 TOLLA-8L 低压贴片MOS管
200N04 TOLLA-8L 低压贴片MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:200N04
产品封装:TOLLA-8L
产品标题:40VNMOS 200N04 TOLLA-8L 低压贴片MOS管 2.5mΩ 低内阻MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


40VNMOS 200N04 TOLLA-8L 低压贴片MOS管 2.5mΩ 低内阻MOSFET



40VNMOS 200N04的引脚图:

image.png



40VNMOS 200N04的应用领域:

  • BMS 电池管理系统

  • BLDC 无刷直流电机

  • UPS 不间断电源



40VNMOS 200N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:200A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:600A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:525mJ

  • 雪崩电流 IAS:35A

  • 总耗散功率 PD:130W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:35℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.5℃/W



40VNMOS 200N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4047
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


1.92.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


2.74
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
95
nC
Qgs栅源电荷密度

15


Qgd栅漏电荷密度
11
Ciss输入电容
3162
pF
Coss输出电容
1099
Crss反向传输电容
157
td(on)开启延迟时间
12.5
ns
tr开启上升时间

7


td(off)关断延迟时间
50
tf
开启下降时间
8.5


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