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40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L
40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:200N04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L UPS用MOS管 1mΩ低内阻MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


40VNMOSFET 200N04 PDFN5X6-8L UPS用MOS管 1mΩ低内阻MOS



UPS用MOS管 200N04的产品特点:

  • BMS 电池管理系统

  • BLDC 无刷直流电机

  • UPS 不间断电源



UPS用MOS管 200N04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TC=25℃200A
漏极电流-连续 TC=100℃130
IDM漏极电流-脉冲800
EAS单脉冲雪崩能量420mJ
IAS雪崩电流70A
PD总耗散功率 TC=25℃68W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻25℃/W
RθJC
结到管壳的热阻1.4



UPS用MOS管 200N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4048
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


0.751
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


1.11.5
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
125
nC
Qgs栅源电荷密度

18


Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
7400
pF
Coss输出电容
1930
Crss反向传输电容
110
td(on)开启延迟时间
14.1
ns
tr开启上升时间

7.9


td(off)关断延迟时间
56.5
tf
开启下降时间
9.6


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