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190N15 TO-263 中低压国产NMOS
190N15 TO-263 中低压国产NMOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:190N15
产品封装:TO-263
产品标题:7.5mΩ 低内阻MOS 190N15 TO-263 中低压国产NMOS 150V/190A 常用MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


7.5mΩ 低内阻MOS 190N15 TO-263 中低压国产NMOS 150V/190A 常用MOSFET



低内阻MOS 190N15的应用领域:

  • DC/DC 转换器

  • LED 背景照明

  • 电源管理开关



低内阻MOS 190N15的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:150V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:190A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:550A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:506mJ

  • 雪崩电流 IAS:53.4A

  • 总耗散功率 PD:210W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



低内阻MOS 190N15的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压150

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


6.67.5
VGS(th)
栅极开启电压22.94V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
18
nC
Qgs栅源电荷密度

10


Qgd栅漏电荷密度
72
Ciss输入电容
5240
pF
Coss输出电容
412
Crss反向传输电容
10
td(on)开启延迟时间
22
ns
tr开启上升时间

115


td(off)关断延迟时间
44
tf
开启下降时间
105


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