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180N04 PDNF5X6-8L 40VN沟道MOS管
180N04 PDNF5X6-8L 40VN沟道MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:180N04
产品封装:PDNF5X6-8L
产品标题:1.5mΩ UPS用场效应管 180N04 PDNF5X6-8L 40VN沟道MOS管 MOSFET应用
咨询热线:0769-89027776

产品详情


1.5mΩ UPS用场效应管 180N04 PDNF5X6-8L 40VN沟道MOS管 MOSFET应用



UPS用场效应管 180N04的应用领域:

  • BMS

  • BLDC

  • UPS



UPS用场效应管 180N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:180A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:750A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:420mJ

  • 雪崩电流 IAS:70A

  • 总耗散功率 PD:68W

  • 结到环境的热阻 RθJA:25℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.4℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



UPS用场效应管 180N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4048
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


1.151.5
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=20A


1.72.5
VGS(th)
栅极开启电压11.82.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
127
nC
Qgs栅源电荷密度

35


Qgd栅漏电荷密度
26
Ciss输入电容
8300
pF
Coss输出电容
1510
Crss反向传输电容
130
td(on)开启延迟时间
22.5
ns
tr开启上升时间

6.7


td(off)关断延迟时间
80.3
tf
开启下降时间
26.9


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