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160N08 TO-220 中低压MOS管
160N08 TO-220 中低压MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:160N08
产品封装:TO-220
产品标题:替换MOSFET 160N08 TO-220 中低压MOS管 4mΩ 开关用NMOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


替换MOSFET 160N08 TO-220 中低压MOS管 4mΩ 开关用NMOS管



开关用NMOS管 160N08的产品特点:

  • VDS=85V

  • ID=160A

  • RDS(ON)<4mΩ@VGS=10V(Type:3.2mΩ)

  • 封装:TO-220



开关用NMOS管 160N08的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:85V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:160A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:480A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:320mJ

  • 总耗散功率 PD:122.5W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.02℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



开关用NMOS管 160N08的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压8595
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


3.24
VGS(th)
栅极开启电压234V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
75
S
Qg栅极电荷
78.5
nC
Qgs栅源电荷密度

19.6


Qgd栅漏电荷密度
17
Ciss输入电容
5235
pF
Coss输出电容
985
Crss反向传输电容
58
td(on)开启延迟时间
15.4
ns
tr开启上升时间

13


td(off)关断延迟时间
34
tf
开启下降时间
6.2

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