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150N20 TO-247 反相器用NMOS
150N20 TO-247 反相器用NMOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:150N20
产品封装:TO-247
产品标题:N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 国产替代MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


N型MOSFET 150N20 TO-247 反相器用NMOS 200V/150A 国产替代MOS管



反相器用NMOS 150N20的产品特点:

  • VDS=200V

  • ID=150A

  • RDS(ON)<10mΩ@VGS=10V(Type:8.5mΩ)

  • 封装:TO-247



反相器用NMOS 150N20的应用领域:

  • UPS

  • 反相器



反相器用NMOS 150N20的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:200V

  • 栅极-源极电压 VGS:±30V

  • 漏极电流-连续 ID:150A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:450A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:600mJ

  • 总耗散功率 PD:750W

  • 结到环境的热阻 RθJA:40℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:0.45℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:150℃



反相器用NMOS 150N20的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压200220
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=80A


8.510
VGS(th)
栅极开启电压3.64.35V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导5065
S
Qg栅极电荷
170
nC
Qgs栅源电荷密度

30


Qgd栅漏电荷密度
50
Ciss输入电容
15000
pF
Coss输出电容
1000
Crss反向传输电容
420
td(on)开启延迟时间
90
ns
tr开启上升时间

140


td(off)关断延迟时间
220
tf
开启下降时间
180


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