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120N06 TO-220 65V低压NMOS
120N06 TO-220 65V低压NMOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120N06
产品封装:TO-220
产品标题:国产MOSFET 120N06 TO-220 65V低压NMOS 插件大电流MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产MOSFET 120N06 TO-220 65V低压NMOS 插件大电流MOS



国产MOSFET 120N06的产品特点:

  • VDS=65V

  • ID=125A

  • RDS(ON)<5.6mΩ@VGS=10V(Type:4.8mΩ)

  • 封装:TO-220



国产MOSFET 120N06的极限值:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压65V
VGS栅极-源极电压±25
ID漏极电流-连续125A
IDM漏极电流-脉冲492
EAS单脉冲雪崩能量225mJ
IAS雪崩电流55A
PD总耗散功率172W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62.5℃/W
RθJC
结到管壳的热阻1.4



国产MOSFET 120N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6572
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=55A


4.85.6
VGS(th)
栅极开启电压22.84V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
77
nC
Qgs栅源电荷密度

18


Qgd栅漏电荷密度
30
Ciss输入电容
3135
pF
Coss输出电容
521
Crss反向传输电容
306
td(on)开启延迟时间
15
ns
tr开启上升时间

89


td(off)关断延迟时间
36
tf
开启下降时间
91


国产MOSFET 120N06 TO-220 65V低压NMOS 插件大电流MOS


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