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大电流NMOS管 120N02 TO-252
大电流NMOS管 120N02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120N02
产品封装:TO-252
产品标题:大电流NMOS管 120N02 TO-252 3mΩ 低内阻 UPS用场效应管 MOSFET参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


大电流NMOS管 120N02 TO-252 3mΩ 低内阻 UPS用场效应管 MOSFET参数



大电流NMOS管 120N02的产品特点:

  • VDS=20V

  • ID=120A

  • RDS(ON)<3mΩ@VGS=4.5V(Type:2.1mΩ)

  • 封装:TO-252



大电流NMOS管 120N02的应用领域:

  • 锂电保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



大电流NMOS管 120N02的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:120A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:360A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:110mJ

  • 总耗散功率 PD:83W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62.5℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:1.85℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~175℃

  • 工作结温 TJ:-55~175℃



大电流NMOS管 120N02的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压2022
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=30A


2.13.5
静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=20A


3.24
VGS(th)
栅极开启电压0.50.681V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
48
nC
Qgs栅源电荷密度

3.6


Qgd栅漏电荷密度
19
Ciss输入电容
4307
pF
Coss输出电容
501
Crss反向传输电容
321
td(on)开启延迟时间
9.7
ns
tr开启上升时间

37


td(off)关断延迟时间
63
tf
开启下降时间
52


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