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30N06 TO-251 60V/30A 低压MOSFET
30N06 TO-251 60V/30A 低压MOSFET
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30N06
产品封装:TO-251
产品标题:36mΩ场效应管 30N06 TO-251 60V/30A 低压MOSFET LED灯用MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


36mΩ场效应管 30N06 TO-251 60V/30A 低压MOSFET LED灯用MOS



36mΩ场效应管 30N06的应用:

  • LED灯

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



36mΩ场效应管 30N06的极限参数:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:30A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:74A

  • 总耗散功率 PD:31.3W

  • 存储温度 TSTG:-55~+175℃

  • 工作结温 TJ:-55~+175℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W



36mΩ场效应管 30N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


2836
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


3845
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

2.5
Qgd栅漏电荷密度
5
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
2.8
ns
tr开启上升时间

16.6


td(off)关断延迟时间
21.2
tf
开启下降时间
5.6


36mΩ场效应管 30N06 TO-251 60V/30A 低压MOSFET LED灯用MOS


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