宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » 宇芯微产品 » MOS管 » 中低压MOS管 » 6N04 SOT89-3L 小封装低压MOS

产品分类

Product Categories
6N04 SOT89-3L 小封装低压MOS
6N04 SOT89-3L 小封装低压MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:6N04
产品封装:SOT89-3L
产品标题:通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封装低压MOS 40mΩ LED用MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


通用MOSFET 6N04 SOT89-3L 小封装低压MOS 40mΩ LED用MOS管



通用MOSFET 6N04的特点:

  • VDS=40V

  • ID=6A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V(Type:28mΩ)

  • 封装形式:SOT89-3L



通用MOSFET 6N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:6A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:18A

  • 总耗散功率 PD:1.67W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:30℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:125℃/W



通用MOSFET 6N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4044
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=4A


2840
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=3A


3550
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
5
nC
Qgs栅源电荷密度

1.54
Qgd栅漏电荷密度
1.84
Ciss输入电容
452
pF
Coss输出电容
51
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
7.8
ns
tr开启上升时间

2.1


td(off)关断延迟时间
29
tf
开启下降时间
2.1


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
404页面

404

很抱歉,您访问的页面找不到了

5秒后自动跳转到首页