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超小封装PMOS MTP1013C3 SOT-523
超小封装PMOS MTP1013C3 SOT-523
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:MTP1013C3
产品封装:SOT-523
产品标题:低压场效应管 超小封装PMOS MTP1013C3 SOT-523 523封装P管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压场效应管 超小封装PMOS MTP1013C3 SOT-523 523封装P管



image.png



超小封装PMOS MTP1013C3的产品特点:

  • BVDSS:-20V

  • ID:-0.5A

  • RDS(ON):0.63Ω(typ)@VGS=-4.5V

  • 超小封装:SOT-523



超小封装PMOS MTP1013C3的极限参数:

如无特殊说明,TJ=25℃

  • 漏极-源极电压 VDS:-20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±8V

  • 漏极电流-连续 ID:-0.5A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-2A

  • 总耗散功率 PD:280W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃



超小封装PMOS MTP1013C3的电特性:

如无特殊说明,TJ=25℃

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-500mA


0.630.9Ω
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-300mA


1.11.4
静态漏源导通电阻

VGS=-1.8V,ID=-10mA


1.72.7
VGS(th)
栅极开启电压-0.5
-1.2V
IGSS栅极漏电流

±2μA
Qg栅极电荷
1.5
nC
Qgs栅源电荷密度

0.28
Qgd栅漏电荷密度
0.44
Ciss输入电容
59
pF
Coss输出电容
21
Crss反向传输电容
15
td(on)开启延迟时间
5
ns
tr开启上升时间

6


td(off)关断延迟时间
42
tf
开启下降时间
14


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