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30A/100V N沟道MOS管 30N10 TO-251
30A/100V N沟道MOS管 30N10 TO-251
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30N10
产品封装:TO-251
产品标题:应用在汽车照明的MOS管 30A/100V N沟道MOS管 30N10 TO-251
咨询热线:0769-89027776

产品详情


应用在汽车照明的MOS管 30A/100V N沟道MOS管 30N10 TO-251



N沟道MOS管 30N10的产品特点:

  • VDS=100V

  • ID=30A

  • RDS(ON)<45mΩ@VGS=10V(Type:36mΩ)



N沟道MOS管 30N10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:100V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:30A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:90A

  • 总耗散功率 PD:42W

  • 存储温度 TSTG:-55~+150℃

  • 工作结温 TJ:-55~+150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:3.6℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62.5℃/W



N沟道MOS管 30N10的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100107
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


3648
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=6A


3955
VGS(th)
栅极开启电压11.52.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
20
nC
Qgs栅源电荷密度

3.1


Qgd栅漏电荷密度
14
Ciss输入电容
1964
pF
Coss输出电容
90
Crss反向传输电容
74
td(on)开启延迟时间
11
ns
tr开启上升时间

91


td(off)关断延迟时间
40
tf
开启下降时间
71


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