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低压PMOS管 40P02 TO-252
低压PMOS管 40P02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40P02
产品封装:TO-252
产品标题:低压PMOS管 40P02 TO-252 12mΩ 国产MOS管 电源用MOS 量大从优
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压PMOS管 40P02 TO-252 12mΩ 国产MOS管 电源用MOS 量大从优



低压PMOS管 40P02的产品应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



低压PMOS管 40P02的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:-40A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-160A

  • 总耗散功率 PD:2.5W

  • 结到环境的热阻 RθJA:65.5℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:24℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



低压PMOS管 40P02的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-23
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-20A


1220
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-10A


2228
VGS(th)
栅极开启电压-0.5-0.6-1.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
15.3
nC
Qgs栅源电荷密度

2.2


Qgd栅漏电荷密度
4.4
Ciss输入电容
2000
pF
Coss输出电容
242
Crss反向传输电容
231
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间

31


td(off)关断延迟时间
28
tf
开启下降时间
8


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