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N+N沟道MOS管 40H04 PDFN5X6-8L
N+N沟道MOS管 40H04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40H04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:宇芯微 N+N沟道MOS管 40H04 PDFN5X6-8L 40V/40A 9mΩ MOS管价格
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 N+N沟道MOS管 40H04 PDFN5X6-8L 40V/40A 9mΩ MOS管价格



N+N沟道MOS管 40H04的产品特点:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



N+N沟道MOS管 40H04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:40A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:120A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:48mJ

  • 雪崩电流 IAS:31A

  • 总耗散功率 PD:33.7W

  • 结到环境的热阻 RθJA:25℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:3.2℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



N+N沟道MOS管 40H04的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4044
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=12A


6.99
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


10.515
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
5.8
nC
Qgs栅源电荷密度

3


Qgd栅漏电荷密度
1.2
Ciss输入电容
690
pF
Coss输出电容
193
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
14.3
ns
tr开启上升时间

5.6


td(off)关断延迟时间
20
tf
开启下降时间
11


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