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100VP沟道MOS管 30P10 TO-220
100VP沟道MOS管 30P10 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30P10
产品封装:TO-220
产品标题:100VP沟道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET应用 国内场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


100VP沟道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET应用 国内场效应管



100VP沟道MOS管 30P10的特点:

  • VDS=-100V

  • ID=-30A

  • RDS(ON)<110mΩ@VGS=-10V



100VP沟道MOS管 30P10的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



100VP沟道MOS管 30P10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-100
V
VGS栅极-源极电压±20
ID

漏极电流-连续

TC=25℃

-30A

漏极电流-连续

TC=100℃

-16
IDM漏极电流-脉冲-75
EAS单脉冲雪崩能量157.2mJ
IAS雪崩电流25A
PD总耗散功率

TC=25℃

96W
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.3
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



100VP沟道MOS管 30P10的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-100

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-10A


7895
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


86110
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.7-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导

24
S
Qg栅极电荷
44.5
nC
Qgs栅源电荷密度

9.13


Qgd栅漏电荷密度
5.93
Ciss输入电容
3029
pF
Coss输出电容
129
Crss反向传输电容
76
td(on)开启延迟时间
12
ns
tr开启上升时间

27.4


td(off)关断延迟时间
79
tf
开启下降时间
53.6


100VP沟道MOS管 30P10 TO-220 MOSFET应用 国内场效应管


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