宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » 宇芯微产品 » MOS管 » 中低压MOS管 » 30P01 PDFN3X3-8L 12V低压PMOSFET

产品分类

Product Categories
30P01 PDFN3X3-8L 12V低压PMOSFET
30P01 PDFN3X3-8L 12V低压PMOSFET
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30P01
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:7.2mΩ 低内阻场效应管 30P01 PDFN3X3-8L 12V低压PMOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


7.2mΩ 低内阻场效应管 30P01 PDFN3X3-8L 12V低压PMOSFET



低内阻场效应管 30P01的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



低内阻场效应管 30P01的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-12
V
VGS栅极-源极电压±12
ID

漏极电流-连续

TC=25℃

-30A

漏极电流-连续

TC=70℃

-28
IDM漏极电流-脉冲-110
PD总耗散功率

TC=25℃

39W
总耗散功率

TC=70℃

29
RθJA结到环境的热阻75℃/W
RθJC结到管壳的热阻4.2
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



低内阻场效应管 30P01的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-12-18
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


5.87.2
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-10A


7.511
VGS(th)
栅极开启电压-0.4-0.7-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导

43
S
Qg栅极电荷
63
nC
Qgs栅源电荷密度

9.1


Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
5783
pF
Coss输出电容
509
Crss反向传输电容
431
td(on)开启延迟时间
15.8
ns
tr开启上升时间

76.8


td(off)关断延迟时间
193
tf
开启下降时间
186.4


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
404页面

404

很抱歉,您访问的页面找不到了

5秒后自动跳转到首页