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N+P沟道MOS管 8G04 SOP-8
N+P沟道MOS管 8G04 SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:8G04
产品封装:SOP-8
产品标题:N+P沟道MOS管 8G04 SOP-8 无线充用MOS管 低压场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


N+P沟道MOS管 8G04 SOP-8 无线充用MOS管 低压场效应管



无线充用MOS管 8G04的引脚图:

image.png



无线充用MOS管 8G04的特点:

1、N-CH:

  • VDS=40V

  • ID=8.3A

  • RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V


2、P-CH:

  • VDS=-40V

  • ID=-6.3A

  • RDS(ON)<50mΩ@VGS=-10V



无线充用MOS管 8G04的用途:

  • 无线充电

  • 无刷马达



无线充用MOS管 8G04的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
N-CHP-CH
VDS漏极-源极电压40-40
V
VGS栅极-源极电压±20±20
ID漏极电流-连续 (TA=25℃)8.3-6.3A
漏极电流-连续 (TA=70℃)4.2-3.8
IDM漏极电流-脉冲26-24
EAS单脉冲雪崩能量16.239mJ
PD总耗散功率 (TA=25℃)1.671.67W
RθJA结到环境的热阻5757℃/W
RθJC结到管壳的热阻3030
TSTG存储温度-55~150-55~150
TJ工作结温-55~150-55~150


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