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60VN沟道MOS管 20N06 TO-252
60VN沟道MOS管 20N06 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:20N06
产品封装:TO-252
产品标题:60V场效应管 20N06 TO-252 贴片MOSFET MOS管20N06
咨询热线:0769-89268116

产品详情


60V场效应管 20N06 TO-252 贴片MOSFET MOS管20N06



60V场效应管 20N06的符号图:

blob.png



60V场效应管 20N06的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



60V场效应管 20N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TC=25℃20A
IDM漏极电流-脉冲40
EAS单脉冲雪崩能量22mJ
IAS雪崩电流21A
PD总耗散功率 TC=25℃31.3W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻4



60V场效应管 20N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)

静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


3340

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=7A


4050
VGS(th)
栅极开启电压1
2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
25.3
S
Qg
栅极总电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度
2.5
Qgd栅漏电荷密度
5
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
2.8
ns
tr开启上升时间
16.6
td(off)关断延迟时间
21.2
tf
开启下降时间
5.6



60V场效应管 20N06的封装外形尺寸:

blob.png


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