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-60VP沟道场效应管 GM6385C SOT-23
-60VP沟道场效应管 GM6385C SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM6385C
产品封装:SOT-23
产品标题:60VP沟道场效应管 GM6385C SOT-23 贴片MOS管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


60VP沟道场效应管 GM6385C SOT-23 贴片MOS管



贴片MOS管 GM6385C的引脚图:

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贴片MOS管 GM6385C的极限参数:

  • 漏极-源极电压 BVDSS:-60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-3.5A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-10A

  • 总耗散功率(TA=25℃) PD:1400mW

  • 结温 TJ:150℃

  • 存储温度 Tstg:-55~+150℃



贴片MOS管 GM6385C的电特性:

(如无特殊说明,TA=25℃)

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS-60

V
栅极开启电压VGS(th)-1
-3
内附二极管正向压降
VSD

-1.2
零栅压漏极电流IDSS

-1uA
栅极漏电流
IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=-3A,VGS=-10V

RDS(ON)

85

静态漏源导通电阻

ID=-2A,VGS=-4.5V



120
输入电容CISS
960
pF
输出电容COSS
100
反向传输电容CRSS
33
总栅极电荷密度
Qg
23
nC
栅源电荷密度Qgs
5
栅漏电荷密度Qgd
6
开启延迟时间
td(on)
38
ns
开启上升时间tr
18
关断延迟时间td(off)
51
开启下降时间tf
6


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