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N沟道MOS管 60N02 TO-252
N沟道MOS管 60N02 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60N02
产品封装:TO-252
产品标题:60N02 TO-252 电池保护用MOS管 低压场效应管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


60N02 TO-252 电池保护用MOS管 低压场效应管



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低压场效应管 60N02的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低压场效应管 60N02的极限值(除非有特殊要求,TC=25℃):

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDS
20V
栅极-源极电压VGS±12

漏极电流-连续

(TC=25℃)

ID60A

漏极电流-连续

(TC=100℃)
42

漏极电流-脉冲

IDM210
功耗PD
60W
雪崩能量
EAS200mJ
结温,存储温度范围TJ,TSTG-50~150



低压场效应管 60N02的电特性(除非有特殊要求,TC=25℃):

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250μA20

V
栅极开启电压VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA0.50.751
栅极漏电流
IGSSVGS=±12V,VDS=0V

±100nA
零栅压漏极电流IDSSVDS=20V,VGS=0V

1μA
静态漏源导通电阻RDS(ON)
VGS=4.5V,ID=20A
4.26
VGS=2.5V,ID=15A
6.29
输入电容CissVDS=10V,VGS=0V,f=1MHz

2000
pF
输出电容Coss
500
反向传输电容Crss
200
开启延迟时间td(on)

VDD=10V,ID=2A,RL=1Ω

VGS=4.5V,RG=3Ω


6.4
ns
开启上升时间tr
17.2
关断延迟时间td(off)
29.6
开启下降时间tf
16.8
栅源电荷密度QgsVDS=10V,ID=20A,VGS=10V
6.5
nC
栅漏电荷密度Qgd
6.4


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