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N沟道MOS管 60N03 TO-252
N沟道MOS管 60N03 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60N03
产品封装:TO-252
产品标题:MOS管60N03 TO-252 贴片场效应管 60N03
咨询热线:0769-89268116

产品详情


MOS管60N03 TO-252 贴片场效应管 60N03



MOS管 60N03的引脚图:

blob.png



MOS管 60N03的应用领域:

  • 负载开关



MOS管 60N03的极限值(除非有特殊要求,TA=25℃):

  • 漏极-源极电压 VDSS:30V

  • 栅极-源极电压 VGSS:±20V

  • 漏极电流-连续(TC=25℃) ID:60A

  • 漏极电流-连续(TC=100℃) ID:37A

  • 功耗(TC=25℃) PD:54W

  • 功耗(TC=100℃) PD:21W

  • 结温/存储温度范围 TJ/TSTG:-55~150℃



MOS管 60N03的电特性(除非有特殊要求,TA=25℃):

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250uA30

V
栅极开启电压VGS(TH)VDS=VGS,ID=250uA11.73
栅极漏电流
IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
零栅压漏极电流IDSSVDS=20V,VGS=0V

1uA
静态漏源导通电阻RDS(ON)
VGS=10V,ID=15A
8.510
VGS=4.5V,ID=15A
1215
输入电容CissVGS=0V,VDS=30V,f=1MHz

920
pF
输出电容Coss
187
反向传输电容Crss
130
开启延迟时间td(on)

VDD=15V,RL=30Ω

ID=15A,VGS=10V

RG=6Ω


15
ns
开启上升时间tr
25
关断延迟时间td(off)
60
开启下降时间tf
17
栅源电荷密度QgsVDS=15V,VGS=10V,ID=15A

5
nC
栅漏电荷密度Qgd
6.5



MOS管 60N03的封装尺寸图:

blob.png


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