宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,国产可控硅,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » 代理产品 » 美国福斯特半导体 » 高压功率MOS管 » 高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252

产品分类

Product Categories
高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252
产品品牌:美国福斯特
产品类型:高压功率MOS管
产品型号:FIR9N65LG
产品封装:TO-252
产品标题:高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


高压功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 贴片MOSFET



高压功率MOS管 FIR9N65LG的引脚图:

blob.png



高压功率MOS管 FIR9N65LG的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDSS650V
栅极-源极电压VGSS+30
漏极电流-连续
ID9A
漏极电流-脉冲IDM18
功耗PD55W
结温TJ+150
存储温度TSTG-55~+150



高压功率MOS管 FIR9N65LG的电特性:

符号参数测试条件最小值典型值最大值单位
BVDSS
漏极-源极击穿电压VGS=0V,ID=250μA650

V
IDSS
零栅压漏极电流VDS=650V,VGS=0V

10μA
RDS(ON)
静态漏源导通电阻
VGS=10V,ID=4.5A


1Ω
VGS(TH)栅极开启电压
VDS=VGS,ID=250μA
2
4V



高压功率MOS管 FIR9N65LG的封装外形尺寸:

blob.png


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
403 - ֹ: ʱܾ

403 - ֹ: ʱܾ

Ȩʹṩƾݲ鿴Ŀ¼ҳ档