中低压MOSFET EMB30B03V EDFN3X3 双P沟道MOS管 贴片场效应管
EMB30B03V的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -30 | |
| 漏极电流-连续 TA=25℃ | ID | -6.5 | A |
| 漏极电流-连续 TA=100℃ | -4.9 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -26 | |
| 功耗 TA=25℃ | PD | 2 | W |
| 功耗 TA=100℃ | 1.08 | ||
| 工作结温和存储温度范围 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
EMB30B03V的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | -30 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -1 | -1.5 | -3 | |
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID-6.5A | RDS(ON) | 30 | 35 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-5V,ID-4.5A | 43 | 55 | |||
| 输入电容 | Ciss | 910 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 143 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 108 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 2.1 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 3.2 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 12 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 18 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 38 | |||
| 开启下降时间 | tf | 22 |
EMB30B03V的封装外形尺寸：
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