P沟道MOS管 EMZF50P02J SOT-23 贴片小封装MOSFET -20V中低压场效应管
EMZF50P02J的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
漏极电流-连续 TA=25℃ | ID | -4 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | -3.5 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -16 | |
| 功耗 TA=25℃ | PD | 1.25 | W |
| 功耗 TA=70℃ | 0.8 | ||
| 结温和存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
EMZF50P02J的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | -20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.3 | -0.65 | -1 | |
| 栅极漏电流 | IGSS | ±10 | nA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃ | -10 | ||||
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | RDS(ON) | 37 | 44 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-3A | 55 | 70 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-1A | 65 | 90 | |||
| 正向跨导 | gfs | 14 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | 1059 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 132 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 127 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 1.8 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 3.2 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 15 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 30 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 35 | |||
| 开启下降时间 | tf | 35 |
EMZF50P02J的封装外形尺寸：
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