双P沟道MOS管 EMF20B02V EDFN3X3 贴片MOSFET -20V场效应管
EMF20B02V的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -20 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±12 | |
漏极电流-连续 TA=25℃ | ID | -8.5 | A |
漏极电流-连续 TA=70℃ | -6 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -34 | |
| 功耗 TA=25℃ | PD | 2 | W |
| 功耗 TA=70℃ | 1.28 | ||
| 结温和存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
EMF20B02V的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | -20 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.4 | -0.75 | -1.2 | |
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-16V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-12V,VGS=0V,Tj=125℃ | -10 | ||||
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-8.5A | RDS(ON) | 15 | 20 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-4.5A | 19 | 25 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=-1.8V,ID=-2.5A | 26 | 40 | |||
| 正向跨导 | gfs | 22 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | 3050 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 460 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 410 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 2.2 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 6.8 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 20 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 50 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 90 | |||
| 开启下降时间 | tf | 60 |
EMF20B02V的封装外形尺寸：
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