P沟道MOS管 EMB39P04V EDFN3X3 -40V/-12A场效应管 中低压MOSFET
EMB39P04V的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -40 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | |
漏极电流-连续 TA=25℃ | ID | -12 | A |
漏极电流-连续 TA=100℃ | -8 | ||
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -48 | |
| 雪崩能量 | IAS | -10 | |
| 雪崩能量 | EAS | 5 | mJ |
| 功耗 TA=25℃ | PD | 2.5 | W |
| 功耗 TA=100℃ | 1 | ||
| 结温和存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
EMB39P04V的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | -40 | V | ||
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -2 | -2.3 | -3.2 | |
| 栅极漏电流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-32V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-30V,VGS=0V,Tj=125℃ | -10 | ||||
静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-8A | RDS(ON) | 34 | 39 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-7V,ID=-6A | 50 | 70 | |||
| 正向跨导 | gfs | 11 | S | ||
| 输入电容 | Ciss | 1076 | pF | ||
| 输出电容 | Coss | 125 | |||
| 反向传输电容 | Crss | 96 | |||
| 栅源电荷密度 | Qgs | 3.2 | nC | ||
| 栅漏电荷密度 | Qgd | 3.8 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | 7 | nS | ||
| 开启上升时间 | tr | 10 | |||
| 关断延迟时间 | td(off) | 20 | |||
| 开启下降时间 | tf | 12 |
EMB39P04V的封装外形尺寸：
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