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中低压功率MOS管 FIR210N075PG TO-220
中低压功率MOS管 FIR210N075PG TO-220
产品品牌:美国福斯特
产品类型:中低压功率MOS管
产品型号:FIR210N075PG
产品封装:TO-220
产品标题:福斯特MOSFET 75V/210V中低压场效应管 FIR210N075PG TO-220
咨询热线:0769-89027776

产品详情


福斯特MOSFET 75V/210V中低压场效应管 FIR210N075PG TO-220



FIR210N075PG的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDSS75V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID
210A
漏极电流-连续 TC=100℃150
漏极电流-脉冲IDM
850
功耗PD310W
单脉冲雪崩能量EAS2200
mJ
工作结温和存储温度范围TJ,TSTG
-55~175




FIR210N075PG的电特性:

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V ID=250μA7586
V
零栅压漏极电流IDSSVDS=75V,VGS=0V

1μA
栅极漏电流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±200nA
栅极开启电压VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
静态漏源导通电阻(25℃)RDS(ON)
VGS=10V,ID=40A

3.54.5
静态漏源导通电阻(125℃)
5.77.4
正向跨导gfsVDS=25V,ID=40A100165
S
输入电容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

12100
pF
输出电容Coss
2000
反向传输电容Crss
480
开启延迟时间td(on)VDD=38V,ID=40A VGS=10V,RGEN=1.2Ω

20
nS
开启上升时间tr
190
关断延迟时间td(off)
130
开启下降时间tf
120
栅源电荷密度QgsVDS=60V,ID=40A,VGS=10V

90140nC
栅漏电和密度Qgd
140210



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