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中低压功率MOS管 FIR210N10ANFG TO-247
中低压功率MOS管 FIR210N10ANFG TO-247
产品品牌:美国福斯特
产品类型:中低压功率MOS管
产品型号:FIR210N10ANFG
产品封装:TO-247
产品标题:增强型功率MOSFET FIR210N10ANFG N沟道福斯特MOS管 TO-247
咨询热线:0769-89027776

产品详情


增强型功率MOSFET FIR210N10ANFG N沟道福斯特MOS管 TO-247



FIR210N10ANFG的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDSS100V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID
210A
漏极电流-连续 TC=100℃160
漏极电流-脉冲IDM850
功耗PD385W
单脉冲雪崩能量EAS2300mJ
工作结温和存储温度范围TJ,TSTG
-55~175




FIR210N10ANFG的电特性:

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250μA100110
V
零栅压漏极电流IDSS
VDS=100V,VGS=0V

1μA
栅极漏极电流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±200nA
栅极开启电压VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
静态漏源导通电阻RDS(ON)
VGS=10V,ID=40A
3.34.3
正向跨导gfsVDS=25V,ID=40A300

S
输入电容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

16500
pF
输出电容Coss
1061
反向传输电容Crss
811
开启延迟时间td(on)VDD=30V,ID=2A VGS=10V,RGEN=2.5Ω

68
nS
开启上升时间tr
45
关断延迟时间td(off)
215
开启下降时间tf
56
栅源电荷密度QgsVDS=30V,ID=30A,VGS=10V

79
nC
栅漏电和密度Qgd
118




FIR210N10ANFG的封装外形尺寸:

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