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中低压功率MOS管 FIR210N04PG TO-220
中低压功率MOS管 FIR210N04PG TO-220
产品品牌:美国福斯特
产品类型:中低压功率MOS管
产品型号:FIR210N04PG
产品封装:TO-220
产品标题:福斯特场效应晶体管 FIR210N04PG TO-220 N沟道增强型功率MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


福斯特场效应晶体管 FIR210N04PG TO-220 N沟道增强型功率MOS管



FIR210N04PG的产品应用:

  • 功率切换应用程序

  • 高频电路

  • 不间断电源




FIR210N04PG的极限值:

参数
符号数值单位
漏极-源极电压VDSS40V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID
210A
漏极电流-连续 TC=100℃148
漏极电流-脉冲IDM840
功耗PD310W
单脉冲雪崩能量EAS1800mJ
工作结温和存储温度范围TJ,TSTG
-55~175




FIR210N04PG的电特性:

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250μA40

V
零栅压漏极电流IDSSVDS=40V,VGS=0V

1μA
栅极漏电流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
栅极开启电压VGS(th)
VDS=VGS,ID=250μA234V
静态漏源导通电阻RDS(on)VGS=10V,ID=40A
1.82.5
正向跨导gfsVDS=24V,ID=40A160

S
输入电容CissVDS=25V,VGS=0V,F=1.0MHz

7800
pF
输出电容Coss
1144
反向传输电容Crss
820
开启延迟时间td(on)VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,RG=2.5Ω,VGS=10V
40
nS
开启上升时间tr
38
关断延迟时间td(off)
140
开启下降时间tf
60
栅源电荷密度QgsID=30A,VDD=30V,VGS=10V

41
nC
栅漏电和密度Qgd
83



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