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中低压功率MOS管 FIR200N04PG TO-220
中低压功率MOS管 FIR200N04PG TO-220
产品品牌:美国福斯特
产品类型:中低压功率MOS管
产品型号:FIR200N04PG
产品封装:TO-220
产品标题:增强型N沟道场效应晶体管 FIR200N04PG TO-220 功率MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


增强型N沟道场效应晶体管 FIR200N04PG TO-220 功率MOS管



FIR200N04PG的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压VDSS40V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续ID
200A
漏极电流-连续 TC=100℃140
漏极电流-脉冲IDM790
功耗PD260W
单脉冲雪崩能量EAS1500mJ
工作结温和存储温度范围TJ,TSTG-55~175




FIR200N04PG的电特性:

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSSVGS=0V,ID=250μA40

V
零栅压漏极电流IDSSVDS=40V,VGS=0V

1μA
栅极漏电流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±100nA
栅极开启电压VGS(th)VDS=VGS,ID=250μA234V
静态漏源导通电阻RDS(on)VGS=10V,ID=40A
3.34.0
正向跨导gfsVDS=5V,ID=40A60

S
输入电容CissVDS=30V,VGS=0V,F=1.0MHz

9600
pF
输出电容Coss
890
反向传输电容Crss
530
开启延迟时间td(on)VDD=30V,ID=1A VGS=10V,RGEN=2.5Ω

21
nS
开启上升时间tr
37
关断延迟时间td(off)
75
开启下降时间tf
40
栅源电荷密度QgsVDS=30V,ID=30A,VGS=10V

36
nC
栅漏电和密度Qgd
56



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